NXH80T120L3Q0S3G
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Définition:
La génération de PIM3 Q0PACK est de 1200 V, 80
Catégorie:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Dans-actions:
En stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Méthode de transport:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les IGBT
Modules
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
75 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage du châssis
Le paquet:
plateau
Série:
-
Emballage / boîtier:
Module
Le nombre maximal d'émissions de CO2:
2.4V @ 15V, 80A
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
Pour les appareils électroniques
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Les pièces détachées doivent être en forme d'emballage.
Mfr:
Uniseme
Température de fonctionnement:
-40°C à 175°C (TJ)
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
300 µA
Type IGBT:
Arrêtez le champ de tranchées.
Puissance maximale:
188 W
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
18.15 nF @ 20 V
Configuration:
La moitié du pont
Thermistors NTC:
- Oui, oui.
Introduction au projet
Module IGBT Trench Field Stop demi-pont 1200 V 75 A 188 W Monture du châssis 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Les étiquettes:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
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Le stock:
In Stock
Nombre de pièces:
