Le système de contrôle de l'équipement doit être conforme à l'annexe II.
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Définition:
Modules IGBT - IAP IGBT
Catégorie:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Dans-actions:
En stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Méthode de transport:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les IGBT
Modules
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
476 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage du châssis
Le paquet:
Boîte
Série:
FRED Pt®
Emballage / boîtier:
Module
Le nombre maximal d'émissions de CO2:
1.32V @ 15V, 200A
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
650 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le système d'alimentation par induction doit être équipé d'un système d'alimentation par induction
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Division des diodes
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
200 µA
Type IGBT:
Fossé
Puissance maximale:
1KW
Résultats de l'analyse:
La norme
Température de fonctionnement:
-40°C à 175°C (TJ)
Configuration:
Demi inverseur de pont
Thermistors NTC:
Je ne veux pas
Introduction au projet
IGBT Module Trench Half Bridge Inverter 650 V 476 A 1 kW Monture du châssis
Les étiquettes:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Envoyez le RFQ
Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: