Les données sont fournies par le FP50R12KT4GB15BOSA1
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Définition:
Le système d'aiguillage de l'appareil doit être équipé d'un système de régulation de la fréquence.
Catégorie:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Dans-actions:
En stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Méthode de transport:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les IGBT
Modules
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
50 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage du châssis
Le paquet:
plateau
Série:
ÉconoPIMTM 3
Emballage / boîtier:
Module
Le nombre maximal d'émissions de CO2:
2.15V @ 15V, 50A
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
Pour les appareils électroniques
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Module
Mfr:
Infineon Technologies
Température de fonctionnement:
-40°C à 150°C
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
1 mA
Type IGBT:
Arrêtez le champ de tranchées.
Puissance maximale:
280 W
Résultats de l'analyse:
La norme
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
2.8 nF @ 25 V
Configuration:
Invertisseur à trois phases
Thermistors NTC:
- Oui, oui.
Numéro du produit de base:
Le numéro de série FP50
Introduction au projet
Module IGBT, arrêt de champ de tranchée, onduleur à trois phases 1200 V 50 A 280 W, module monté sur châssis
Les étiquettes:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Envoyez le RFQ
Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: