PDTA123TMB,315
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Définition:
Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
Catégorie:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Dans-actions:
En stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Méthode de transport:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 MA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence - Transition:
180 mégahertz
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Automobile, AEC-Q100
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
150 mV @ 500 μA, 10 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
DFN1006B-3
Résistance - Base (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
Nexperia États-Unis Inc.
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
1µA
Puissance maximale:
250mW
Emballage / boîtier:
Le numéro de référence est le numéro de référence.
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
30 @ 20mA, 5V
Numéro du produit de base:
Le PDTA123
Introduction au projet
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Pré-biasé 50 V 100 mA 180 MHz 250 mW Monture de surface DFN1006B-3
Les étiquettes:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
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Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: