Le BCR 196T E6327
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Définition:
Trans Prebias PNP 250 MW SC75
Catégorie:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Dans-actions:
En stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Méthode de transport:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
70 mA
Statut du produit:
Arrêté par Digi-Key
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Fréquence - Transition:
150 mégahertz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nom de l'établissement
Résistance - Base (R1):
47 kOhms
Mfr:
Infineon Technologies
Résistance - Base de l'émetteur (R2):
22 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
100nA (ICBO)
Puissance maximale:
250mW
Emballage / boîtier:
SC-75, SOT-416
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
50 @ 5mA, 5V
Numéro du produit de base:
Résultats de l'évaluation
Introduction au projet
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Pré-biasé 50 V 70 mA 150 MHz 250 mW Monture de surface PG-SC-75
Les étiquettes:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
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Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: