Le nombre de points de contact doit être supérieur à:
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Définition:
Le système de mesure de l'énergie est basé sur les données de l'appareil.
Catégorie:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Dans-actions:
En stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Méthode de transport:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - Nominal:
65 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Figure du bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
H-37265-2, sous réserve de l'utilisation de la méthode suivante
Tension - essai:
28 V
Mfr:
Infineon Technologies
Fréquence:
10,96 GHz
Les gains:
17.5 dB
Emballage / boîtier:
2-Plaquette, à nageoires de nageoires, à flancs
Actuel - essai:
450 mA
Puissance - Sortie:
11W
Technologie:
ldmos
Rating de courant (ampères):
10µA
Numéro du produit de base:
Le nombre d'équipements utilisés
Introduction au projet
RF Mosfet 28 V 450 mA 1,96 GHz 17,5 dB 11W H-37265-2
Les étiquettes:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Envoyez le RFQ
Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: