Les produits doivent être présentés dans les conditions suivantes:
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Définition:
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Catégorie:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Dans-actions:
En stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Méthode de transport:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - Nominal:
150 V
Le paquet:
plateau
Série:
-
Figure du bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
NI-400S-2S
Tension - essai:
50 V
Mfr:
États-Unis Inc.
Fréquence:
30 MHz à 2,2 GHz
Les gains:
180,4 dB
Emballage / boîtier:
NI-400S-2S
Actuel - essai:
200 mA ou plus
Puissance - Sortie:
125W
Technologie:
HEMT
Rating de courant (ampères):
-
Numéro du produit de base:
Résultats de l'analyse
Introduction au projet
RF Mosfet 50 V 200 mA 30 MHz ~ 2,2 GHz 18,4 dB 125 W NI-400S-2S
Les étiquettes:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Envoyez le RFQ
Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: