ARRIÈRE18H357-24SR6
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Définition:
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'UE.
Catégorie:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Dans-actions:
En stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Méthode de transport:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Montage du châssis
Voltage - Nominal:
65 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Configuration:
Dual
Série:
-
Figure du bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les appareils de traitement de l'air
Tension - essai:
28 V
Mfr:
États-Unis Inc.
Fréquence:
10,81 GHz
Les gains:
170,3 dB
Emballage / boîtier:
Pour les appareils de traitement de l'air
Actuel - essai:
800 mA
Puissance - Sortie:
63W
Technologie:
ldmos
Rating de courant (ampères):
-
Numéro du produit de base:
AFT18
Introduction au projet
RFI Mosfet 28 V 800 mA 1,81 GHz 17,3 dB 63W NI-1230-4LS2L
Les étiquettes:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Envoyez le RFQ
Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: