Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Définition:
CRÊTE 50V du TRANSPORT 960-1215MHZ 1000W
Catégorie:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Dans-actions:
En stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Méthode de transport:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - Nominal:
112 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Configuration:
Dual
Série:
-
Figure du bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les produits de la catégorie 1
Tension - essai:
50 V
Mfr:
États-Unis Inc.
Fréquence:
10,03 GHz
Les gains:
190,6 dB
Emballage / boîtier:
NI-1230-4S GW
Actuel - essai:
100 MA
Puissance - Sortie:
Unité d'alimentation
Technologie:
ldmos
Rating de courant (ampères):
-
Numéro du produit de base:
Résultats de l'enquête
Introduction au projet
RF Mosfet 50 V 100 mA 1,03 GHz 19,6 dB 1000W NI-1230-4S or
Les étiquettes:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Envoyez le RFQ
Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: