MAGX-002731-180L00
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Définition:
HEMT 180W 2.7-3.1GHZ des FETS RF GAN
Catégorie:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Dans-actions:
En stock
Méthode de paiement:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Méthode de transport:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Voltage - Nominal:
65 V
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
-
Figure du bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
-
Tension - essai:
50 V
Mfr:
Solutions technologiques MACOM
Fréquence:
2Pour les appareils de surveillance de l'environnement:
Les gains:
11.2 dB
Emballage / boîtier:
-
Actuel - essai:
500 mA
Puissance - Sortie:
180 W
Technologie:
HEMT
Rating de courant (ampères):
500 mA
Introduction au projet
RF Mosfet 50 V 500 mA 2,7 GHz ~ 3,1 GHz 11,2 dB 180 W
Les étiquettes:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Envoyez le RFQ
Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: