RN1111, LXHF ((CT)
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 MA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence - Transition:
250 MHz
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Série:
Automobile, AEC-Q101
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
300 mV @ 250 μA, 5 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
MSS
Résistance - Base (R1):
10 kOhms
Mfr:
Toshiba Semi-conducteurs et stockage
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
100nA (ICBO)
Puissance maximale:
100 mW
Emballage / boîtier:
SC-75, SOT-416
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
120 @ 1mA, 5V
Numéro du produit de base:
RN1111
Introduction au projet
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - SSM de montage de surface pré-biasé 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW
Les étiquettes:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
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Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: