DTC114GU3HZGT106
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 MA
Statut du produit:
Pas pour les nouveaux modèles
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Fréquence - Transition:
250 MHz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Série:
Automobile, AEC-Q101
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
UMT3
Mfr:
Semi-conducteurs Rohm
Résistance - Base de l'émetteur (R2):
10 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
Pour les appareils à commande numérique:
Puissance maximale:
200 mW
Emballage / boîtier:
SC-70, SOT-323: les résultats de l'enquête ont été publiés.
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
30 @ 5mA, 5V
Numéro du produit de base:
DTC114
Introduction au projet
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Monture de surface UMT3
Les étiquettes:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
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Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: