PDTC143XEF,115
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 MA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Série:
-
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
Pour les appareils de type à commande numérique:
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le SC-89
Résistance - Base (R1):
4,7 kOhms
Mfr:
États-Unis Inc.
Résistance - Base de l'émetteur (R2):
10 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
1µA
Puissance maximale:
250mW
Emballage / boîtier:
SC-89, SOT-490
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
50 @ 10mA, 5V
Numéro du produit de base:
Le PDTC143
Introduction au projet
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 100 mA 250 mW Monture de surface SC-89
Les étiquettes:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
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Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: