Le système de contrôle de la qualité doit être conforme aux exigences de la présente directive.
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Définition:
Modules IGBT - IAP IGBT
Catégorie:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Dans-actions:
En stock
Méthode de paiement:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Méthode de transport:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les IGBT
Modules
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
372 A
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Montage du châssis
Le paquet:
Boîte
Série:
FRED Pt®
Emballage / boîtier:
Module
Le nombre maximal d'émissions de CO2:
1.32V @ 15V, 150A
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
650 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le système d'alimentation par induction doit être équipé d'un système d'alimentation par induction
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Division des diodes
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
µA 150
Type IGBT:
Fossé
Puissance maximale:
789 W
Résultats de l'analyse:
La norme
Température de fonctionnement:
-40°C à 175°C (TJ)
Configuration:
Demi inverseur de pont
Thermistors NTC:
- Je ne sais pas.
Introduction au projet
IGBT Module Trench Half Bridge Inverter 650 V 372 A 789 W Monture du châssis INT-A-PAK IGBT
Les étiquettes:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Envoyez le RFQ
Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: