RN1110ACT ((TPL3)) Le nombre de personnes qui sont concernées par la demande de permis de conduire
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Définition:
Le système de régulation de l'énergie doit être conforme à la norme EN ISO/IEC 17025 et à la norme E
Catégorie:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Dans-actions:
En stock
Méthode de paiement:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Méthode de transport:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
80 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Série:
-
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
150 mV @ 250 μA, 5 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
CST3
Résistance - Base (R1):
47 kOhms
Mfr:
Toshiba Semi-conducteurs et stockage
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
100nA (ICBO)
Puissance maximale:
100 mW
Emballage / boîtier:
SC-101, SOT-883
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
120 @ 1mA, 5V
Numéro du produit de base:
RN1110
Introduction au projet
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Monture de surface pré-biasée 50 V 80 mA 100 mW CST3
Les étiquettes:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
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Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: