PDTD123YS,126
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Définition:
Trans Prebias NPN 500 MW TO92-3
Catégorie:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Dans-actions:
En stock
Méthode de paiement:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Méthode de transport:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
500 mA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Tape et boîte (TB)
Série:
-
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-92-3
Résistance - Base (R1):
2,2 kOhms
Mfr:
États-Unis Inc.
Résistance - Base de l'émetteur (R2):
10 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
500 nA
Puissance maximale:
500 mW
Emballage / boîtier:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) a formé des avances
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
70 @ 50mA, 5V
Numéro du produit de base:
PDTD123
Introduction au projet
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 500 mA 500 mW à travers le trou TO-92-3
Les étiquettes:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
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Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: