Le PDTA114YQAZ
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Définition:
Trans Prebias PNP 3DFN
Catégorie:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Dans-actions:
En stock
Méthode de paiement:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Méthode de transport:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 MA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Fréquence - Transition:
180 mégahertz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
Automobile, AEC-Q101
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
Pour les appareils de type à commande numérique:
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le nombre d'étoiles est le suivant:
Résistance - Base (R1):
10 kOhms
Mfr:
Nexperia États-Unis Inc.
Résistance - Base de l'émetteur (R2):
47 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
1µA
Puissance maximale:
280mW
Emballage / boîtier:
3-XDFN Plateau exposé
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
100 @ 5mA, 5V
Numéro du produit de base:
Le PDTA114
Introduction au projet
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Pré-biasé 50 V 100 mA 180 MHz 280 mW Monture de surface DFN1010D-3
Les étiquettes:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
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Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: