NE3515S02-T1C-A
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Définition:
Le bruit est très bas.
Catégorie:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Dans-actions:
En stock
Méthode de paiement:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Méthode de transport:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - Nominal:
4 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Figure du bruit:
0.3dB
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
4-Micro-X
Tension - essai:
2 V
Mfr:
Le CEL
Fréquence:
12 GHz
Les gains:
12.5 dB
Emballage / boîtier:
4-Micro-X
Actuel - essai:
10 mA
Puissance - Sortie:
-
Technologie:
HFET
Rating de courant (ampères):
88mA
Introduction au projet
RF Mosfet 2 V 10 mA 12 GHz 12,5 dB 4-Micro-X
Les étiquettes:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
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Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: