RN2108MFV,L3F Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et d'intervention en cas d'urgence.
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Définition:
Le système de régulation de l'énergie électrique
Catégorie:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Dans-actions:
En stock
Méthode de paiement:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Méthode de transport:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 MA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Série:
-
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
300 mV @ 250 μA, 5 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
VESM
Résistance - Base (R1):
22 kOhms
Mfr:
Toshiba Semi-conducteurs et stockage
Résistance - Base de l'émetteur (R2):
47 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
500 nA
Puissance maximale:
150 mW
Emballage / boîtier:
SOT-723
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
80 @ 10 mA, 5 V
Numéro du produit de base:
RN2108
Introduction au projet
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - VESM de montage de surface pré-biasé 50 V 100 mA 150 mW
Les étiquettes:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
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Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: