MAGX-001214-650L00
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Définition:
TRANSISTOR GAN 650W 1.2-1.4GHZ
Catégorie:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Dans-actions:
En stock
Méthode de paiement:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Méthode de transport:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Voltage - Nominal:
65 V
Le paquet:
Produits en vrac
Série:
-
Figure du bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
-
Tension - essai:
50 V
Mfr:
Solutions technologiques MACOM
Fréquence:
1Pour les appareils de surveillance de l'environnement:
Les gains:
19.5 dB
Emballage / boîtier:
-
Actuel - essai:
500 mA
Puissance - Sortie:
500 W
Technologie:
HEMT
Rating de courant (ampères):
27A
Introduction au projet
RFI Mosfet 50 V 500 mA 1,2 GHz ~ 1,4 GHz 19,5 dB 500 W
Les étiquettes:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Envoyez le RFQ
Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: