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Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Statut du produit:
Dépassé
Configuration:
N-canal
Voltage - Nominal:
4 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Figure du bruit:
00,65 dB
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
M04
Tension - essai:
2 V
Mfr:
Le CEL
Fréquence:
12 GHz
Les gains:
13dB
Emballage / boîtier:
Le SOT-343F
Actuel - essai:
10 mA
Puissance - Sortie:
125mW
Technologie:
GaAs HJ-FET
Rating de courant (ampères):
60mA
Introduction au projet
RF Mosfet 2 V 10 mA 12 GHz 13 dB 125mW M04
Les étiquettes:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Envoyez le RFQ
Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: