Le nombre d'équipements utilisés est déterminé par le système de mesure.
![qualité [#varpname#] usine](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Définition:
180W GAN HEMT, 50V, de 2,7 à 3,1 GHz
Catégorie:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Dans-actions:
En stock
Méthode de paiement:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Méthode de transport:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - Nominal:
50 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Série:
Je vais te le dire.
Figure du bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
H-37265J-2
Mfr:
Wolfspeed, Inc.
Fréquence:
2Pour les appareils de surveillance de l'environnement:
Les gains:
15 dB
Emballage / boîtier:
H-37265J-2
Puissance - Sortie:
180 W
Technologie:
HEMT
Rating de courant (ampères):
-
Introduction au projet
RF Mosfet 2,7 GHz ~ 3,1 GHz 15 dB 180W H-37265J-2
Les étiquettes:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Envoyez le RFQ
Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: