1012GN-800V
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Définition:
Trans, GAN, 1030/1090 MHz, 800 W,
Catégorie:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Dans-actions:
En stock
Méthode de paiement:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Méthode de transport:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - Nominal:
150 V
Le paquet:
Produits en vrac
Configuration:
-
Série:
V
Figure du bruit:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
55-KR
Tension - essai:
54 V
Mfr:
Technologie des puces
Fréquence:
1Pour les appareils de surveillance de l'environnement:
Les gains:
190,3 dB
Emballage / boîtier:
55-KR
Actuel - essai:
120 mA
Puissance - Sortie:
825 W
Technologie:
-
Rating de courant (ampères):
-
Introduction au projet
RF Mosfet 54 V 120 mA 1,025 GHz ~ 1,15 GHz 19,3 dB 825W 55-KR
Les étiquettes:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Envoyez le RFQ
Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: