Le DDTC115GKA-7-F
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Définition:
Trans Prebias NPN 200 MW SC59-3
Catégorie:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Dans-actions:
En stock
Méthode de paiement:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Méthode de transport:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 MA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
NPN - Pré-décentré
Fréquence - Transition:
250 MHz
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SC-59-3
Mfr:
Diodes incorporées
Résistance - Base de l'émetteur (R2):
100 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
Pour les appareils à commande numérique:
Puissance maximale:
200 mW
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
82 @ 5mA, 5V
Numéro du produit de base:
Le DDTC115
Introduction au projet
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Monture de surface SC-59-3
Les étiquettes:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
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Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: