Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
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Définition:
Trans Prebias PNP 150 MW SMINI3
Catégorie:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
Dans-actions:
En stock
Méthode de paiement:
LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Méthode de transport:
LCL, AIR, FCL, express
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 MA
Statut du produit:
Dépassé
Type de transistor:
PNP - Pré-participation
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Série:
-
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
1.2V @ 330μA, 50mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
30 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SMini3-F2-B
Résistance - Base (R1):
10 kOhms
Mfr:
Composants électroniques de Panasonic
Résistance - Base de l'émetteur (R2):
47 kOhms
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
500 nA
Puissance maximale:
150 mW
Emballage / boîtier:
SC-85
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
80 @ 5mA, 10V
Numéro du produit de base:
DRA5L14
Introduction au projet
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) PNP - Pré-biasé 30 V 100 mA 150 mW Monture de surface SMini3-F2-B
Les étiquettes:
Dispositifs de semi-conducteur discrets
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Le stock:
In Stock
Nombre de pièces: